Memory

timestamptimestamp 5 月 18 日
IBM 相变内存研究突破,每单位现在可存储三位元信息
timeagotimeago 2016 年 5 月 18 日, 早上 10:21

IBM 相变内存研究突破,每单位现在可存储三位元信息

相变内存(Phase Change Memory,PCM)是诸多号称能「改变未来」的新内存技术之一,拥有接近 DRAM 的速度、远超过快闪内存的使用寿命,以及不供电也能保存资料的特性。在某些方面来...

作者: Andy Yang, 2016 年 5 月 18 日, 早上 10:21
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timestamptimestamp 4 月 6 日
三星成为首家量产 10nm 级别 DRAM 的厂商
timeagotimeago 2016 年 4 月 6 日, 早上 08:00

三星成为首家量产 10nm 级别 DRAM 的厂商

就在不久前三星宣布,旗下的 10nm 级 8Gb DDR4 DRAM 芯片已经正式进入了大规模量产的阶段。按照官方说法,在年内会有多级容量的模块推出,从为笔记本准备的 4GB 到为企业服务器准备的...

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timestamptimestamp 2 月 17 日
超人记忆水晶成真,5D 记忆光盘可存放百亿年及抵抗千度热力
timeagotimeago 2016 年 2 月 17 日, 傍晚 07:00

超人记忆水晶成真,5D 记忆光盘可存放百亿年及抵抗千度热力

英国南安普敦大学的光学研究中心在当地的星期二表示,他们成功完善了把数据以飞秒激光脉冲(femtosecond laser bursts)蚀刻在热稳定光碟上的技术,并以 5 维度方式储存(应该是偏光...

作者: Eric Chan, 2016 年 2 月 17 日, 傍晚 07:00
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