就在不久前三星宣布,旗下的 10nm 级 8Gb DDR4 DRAM 芯片已经正式进入了大规模量产的阶段。按照官方说法,在年内会有多级容量的模块推出,从为笔记本准备的 4GB 到为企业服务器准备的 128GB 产品不等。除此之外三星还承诺,「在不久的将来」为移动设备而设的 10nm 级 DRAM 便会问世。

实际上,将 DRAM 缩到 10nm 这样的尺寸并非易事,因为要给晶体管搭配对应的电容器,就意味着所有零件都必须做得更小。再加上三星的做法是「在大量纳米宽的晶体管上堆叠极窄的圆柱形电容器」,难度无疑就更加大了。为此厂方特意改进了初见于 NAND 内存上的四重成型技术(quadruple patterning),而最终的成品,和上代 20nm RAM 相比,速度快了 30%,同时功耗也有了 20% 的降幅。