除了超高解析的屏幕以外,现在大家对于旗舰机的内存要求,应该都是非 3GB 就看不上眼吧?不过在莱斯大学最新的电阻式内存(RRAM)研究的面前,未来说不定这样的容量大概就会被当成尾数去掉了呢(惊)。RRAM 所使用技术并非传统 Flash 采用电晶体为单元而是以电阻所组成,却也同样具备无需持续供电的优势。而且可以更轻松层叠以更有效地增加单芯片的存储空间。

重点是,新的技术可在室温环境与较低能耗之下生产,大幅度地改善了以往需要超高温、高电压的低良率高成本制程,降低了制作难度。而综合以上的优势所得到的结果就是,为了将可在一张邮票大小的芯片中,获得 TB 级的超大内存容量。很难想像吧?跳转以后观看更详细的介绍。

:本篇坦白说真的有点被主站的文章误导(所以把最大争议的标题给改了一下),而我们重新审视一遍它对手机中 RAM 和 ROM 的影响。从目前的资料来看,搭载这样技术的 RRAM 应该是足以取代 ROM 作为存储空间是没问题的;而且因为速度可以有上百倍的增快,也直接进逼了目前 DRAM 的位置。或许这样产品的出现,可以直接省略了 RAM 和 ROM 的区别,让处理器直接从 ROM 里高速地读取资料呢!(这篇关于"忆阻器"的文章可以作为参考,也看到了 Crossbar 呢,有意思)这次的技术突破点在于,研究团队改采以金属(金或白金)填入仅有 5 nm 宽的奈米级二氧化硅层的孔缝之中的方式,并且以两片非常薄的金属包覆来制成电极。这样制作方式相较以往将可大幅降低成本,并且可以增加一百倍的使用次数,存储单元的密度也因此大幅增加 -- RRAM 的每个 Cell 单元可存储 9 bits(Flash 则是仅有 3 bits)-- 这样的成果让我们普遍见到的 RAM 内存的容量单位,一跃到了在固态硬盘 SSD 上才会见到的 TB 级容量大小,但所需要的体积却是迷你很多。

这样说好了,一间已经准备推出相关产品的公司 Crossbar 表示,使用这样技术的内存芯片可以使 1TB 的内存,容纳在仅仅一张邮票大小的芯片尺寸中,而这样的特性不正是极度适合移动设备吗?虽说该公司目前的计划是要把这样的科技,应用在一些 embedded 用途与汽车上,所以短期之内应该暂时不会看到搭载此技术的消费型商品。但研究团队也表示未来几周也会与其他厂商接触,所以也不能说这样的未来还距离我们很远啰(期待)。