研究者开发出 ReRAM 硅芯片,速度可达普通闪存 100 倍

Sanji Feng
Sanji Feng
2012年05月21日, 下午 05:05

还记得我们之前报道过的 ReRAM(可变电阻式记忆体)吗?不记得的话也没有关系,你只要知道两点就行了:它的速度要远高于 NAND 型闪存;Elpida、夏普、松下这些厂商已经将此项技术运用到自己的芯片产品中去了。而最近来自伦敦大学学院(University College London)的一项研究成果更是让我们看到了 ReRAM 美好的未来。那里的研究者制造了一种芯片,其速度可达普通闪存的 100 倍。它由二氧化硅(silicon oxide)制成,因此芯片的电阻表现更佳,另外因为其不需要真空生产,所以造价也比较便宜。除了比闪存速度更快之外,藉助其对各种传导率的适应能力这款晶片也可以被当做忆阻器使用。另外在数据处理和任务储存方面,它同样也是一把好手。研究者们希望能凭藉这项技术开拓二氧化硅 CPU 市场,除此之外他们也已经将此设计运用到了移动设备透明记忆晶片的开发当中。如果你想要了解更多相关资讯的话,点击来源可以看到 Phys.org 更详细的报道。
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