IBM 开发「瞬间」内存,比闪存快 100 倍

Andy Yang
Andy Yang
2011年07月2日, 下午 03:31

IBM 的工程师有多神?这是一群在百岁生日上还能继续为世界带来超级大改变的人啊!这次的发明,是一种新的相变内存(Phase Change Memory,PCM),这种内存的原理,是运用一种有两种形态 -- 结晶和无定形 -- 的合金做为基础,这种合晶在结晶时导电性良好,但在不定形状态下电阻就变得很高。因此只要通电改变结晶的型态,就能在这种合晶上储存数据,电阻高的不定形状态是零,而电阻低的结晶状态是一。虽然原理不完全一样,但这种合晶在效果上颇接近忆阻器,相较于现有的闪存,读写速度可以快上 100 倍,而且可以稳定地使用数百万个写入循环(闪存几千次就不行了)。

IBM 的技术还不止如此 -- 他们成功地发展了一套方法,可以可靠地在一块晶体中储存四种不同的电阻「等级」,让本来只能储存一个位,变成可以存两个,大幅提升信息的储存密度,不过就像大部份这种令人兴奋的新科技,IBM 只能给出「五年之内发生典范转移」这样笼统的数字。现在我们眼前既有答应 2013 年推出的忆阻器,又有 2016 年的瞬间内存,只要撑过了 2012 的世界末日,小弟小小的谜片收藏应该就终于有快速而安全的 SSD 可以存了吧?
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