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三星开始量产第二代 10nm 级 8Gb DDR4 RAM 芯片

比上代产品更快、更小、更省电。

Sanji Feng
2017 年 12 月 21 日, 早上 10:00
Samsung

日前三星正式宣布,其基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片已经开始了大规模量产。跟上代产品相比,它的速度快了 10%,同时功耗也降低了 15%。除此之外,新品的生产率也上升了 30%,有望降低一些 RAM 的售价。值得一提的是,在这次的开发过程中三星使用了效率更高的查错方案,并且还特意在位线间加入「独特的空气间隔」来减少寄生电容。

另外,三星在公告中还表示「自己将加快引入下一代的 DRAM 芯片和系统,包括 DDR5、HBM3、LPDDR5 和 GDDR6,用于企业服务器、移动设备、超级电脑、HPC 系统和高速显卡」。与此同时,更主流的第一代 10nm 级制程芯片生产量也会增加。