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容量再翻倍!东芝发新款快闪储存芯片

Eric Chan
2015 年 8 月 5 日, 下午 03:00



随着技术的成熟,我们所拍的照片、视频或是音频都变得愈来愈大,对于速度的要求也越来越高(用过 SSD 之后就回不去了的概念),让存储媒体都带来极大的压力。继上周英特尔和 Micron 发布的 3D 内存东芝和 SanDisk 也在今天公布一款新的 256Gb 快闪存储芯片,它是以数月前公布的 15 纳米制程、48 层堆栈式的设计之上,加入 3-bit 技术(首见为 三星)来把存储容量翻倍。估计新芯片将会为智能手机、SSD 和其他电子设备带来更快、更可靠的存储媒介。

可是英特尔和 Micron 合作研发的 256Gb 芯片「只是」堆栈了 32 层而已,所以他们所开发的技术相信会轻易超越东芝和 SanDisk 的这款。而且 Micron 曾称他们的技术最终可达 10TB 容量之多,价钱还会更便宜呢。无论如何,最终得益的都会是我们消费者,毕竟这都是产品来的。回到新闻的主角吧,东芝正为新芯片在日本兴建新的工厂,预计 2016 年就会正式投产上市。