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华盛顿大学研制出世上最薄的 LED

2014 年 3 月 12 日, 下午 04:09


华盛顿大学宣布他们已经研制出世上最薄的 LED,其只有三个原子的厚度,是目前已有技术能做到的最薄 LED 了。其重点成份为二硒化钨(tungsten diselenide),是已知最薄的半导体。一片这样的物料只有传统 LED 不到十分之一的厚度,但依然可以发出可见的亮度。另外,它也很有弹性和坚固的。理论上,它可以应用于光学电路和纳米激光器等讲求细小的科技上,同时,它也当然有潜力用在现时斗薄斗轻的行动装置上吧,特别是最近热门的可穿戴式装置。


经由:Engadget
引用来源:University of WashingtonNature

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