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三星推出适合大容量 SSD 的 1Tb V-NAND 芯片

经过 16 层堆叠后可生产出 2TB 的闪存。

Sanji Feng
2017 年 8 月 10 日, 傍晚 08:00
Samsung
距离三星首度发布 3D V-NAND 芯片已经过去了四年多,期间这项技术已经有了长足的发展。时至今日,1Tb 的 V-NAND 芯片已经开发完成,而三星也宣布对应的产品将会从明年开始量产。跟之前最大的 512Gb 芯片相比,这一代的新品容量又翻了一番。而且按照三星的说法,在有了 1TB 的 V-NAND 之后,他们将能通过 16 层堆叠的方式生产出 2TB 的快闪内存。相信在不久的将来,家用 PC 甚至手机的用户将都能从中获益。而对三星自身而言,应该也意味着半导体业务会迎来新的业绩增长点吧。