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Snapdragon 835 将会是高通首款 10nm 芯片

一同登场的 QC 4 快充也会符合 Google 倡导的 USB Type-C 充电要求。

Sanji Feng
2016 年 11 月 17 日, 晚上 11:20
就在刚才,高通正式公布了下一代的旗舰移动 SoC Snapdragon 835。这款芯片将会由三星代工,基于 10nm FinFET 制程,跟现有的 14nm Snapdragon 821(也是三星制造)相比,其性能要强出 27%,同时最多能降低 40% 的功耗。除此之外,据称 S835 的设计也有所改进,在总体续航力上将会有「显著」加强。

实际上,在目前的芯片市场中,Intel 和台积电也都在磨练自己的 10nm 技术,但真正能做出成品的,韩国巨头还是第一家。按照三星副总裁 Jong Shik Yoon 的说法,与高通的合作「是其制造业务的重要里程碑」,而且老实讲,多亏得芯片跟面板业务够力,Note 7 事件带来的经济损失,影响相对来说已经被冲淡了不少。至于搭载 S835 的手机,预计会在 2017 年上半年问世(里面多半会有 Galaxy S8),届时高通说不定还会另推一款 S830 用来满足不同的客户。


值得一提的是,跟 S835 一同公开的还有新一代的快充技术 Quick Charge 4。据称它能带来比 QC 3.0 快 20% 的充电速度,充电 5 分钟可带来最高 5 小时的续航时长,连充 15 分钟后,基本能给采用 S835 处理器的手机灌入差不多一半的电量。

更重要的是,这套新方案用到了高通的 INOV 技术(Intelligent Negotiation for Optimum Voltge,最佳电压智慧协调),而且它还符合 Google 为 USB Type-C 提出的最新参考指南,不像 QC 3.0 那样有违 Nougat 的规格要求。大家都知道,Google 现在希望避免各类不同快充标准所带来的潜在使用隐患,毕竟像一加 2 充电线充坏其它设备这样的事情,到今天为止已经发生不少例了。

对此高通表示,自家的新技术「为充电器和移动设备都准备了先进的保护功能」,它可以调整电流、电压和温度,用来确保电池、电线和连接器的安全。「为了避免电池过充和调节每个充电周期内的电流,我们还专设了额外的保护层。」高通在新闻稿中这么写道。毫无意外,QC 4 能兼容 USB Power Delivery 肯定是一件好事。毕竟 Google 已经给出了「强烈建议」,未来的 Android 版本会要求 Type-C 手机完全匹配标准 Type-C 充电头的互用性(Interoperability),虽然这读起来是一个「可能出现的要求」,但言下之意其实已经很明显啦。