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Intel 的 3D 记忆体比现代存储媒介快 1000 倍

Andy Yang
2015 年 7 月 29 日, 傍晚 08:10


虽然很想把文章写得像发现了新大陆一样兴奋,但仔细读过去,就会发现 Intel 和 Micron 共同发布的这个新的「3D Xpoint(发音如 cross-point)」,其实就是我们多年前写过的忆阻器和材料技术的实用化。至少很难得地,这个技术竟然能照着预计的时程推出,之前答应「2016 可以实用化」,目前看起来应该是没有问题的呢。


这颗新晶片利用了两个新的技术:一个是可以改变电阻的一种晶体,对这种晶体施加电压可以改变它的电阻值,并在电压消失后继续保存着。如果我们把不同的电阻值视为数据的 0 或 1,那测量电阻值就可以知道这个晶体存放的资料是什么了。第二个技术是称为「crosshatch」的电路结构,由垂直方向的多层细密电线交错而成,层与层之间连通上述的晶体。这种方式的资料储存是立体的,所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍,读写快千倍,而且也更耐久。这么一来,忆阻体可以有等同,或甚至超过 DRAM 的表现,而且还是永久储存,不会因断电而损失资料。说不定它可以在未来,让內存和存储的分野消失,CPU 直接去读写硬碟的资料!


Intel 将先把这个技术应用在大数据上,特别是大量资料的即时分析。虽然据称 Xpoint 已经在量产中,但要来到消费者手上大概还是有一段距离的。