IBM、TDK 合作发展 STT-RAM

由 Bin Chen 于 2 years 之前发表

各位对内存发展相当关注的朋友们，裤带又要勒紧了！

除了 S 阵营等人努力当中的 PRAM（Phase-Change RAM, 相变化随机存取内存），IBM 跟日本的 TDK 合作，将发展所谓的旋转力矩转移随机存取内存（spin torque transfer RAM, STT-RAM）。

其原理其实就是利用外加电流来改变磁场，一但磁场改变，阻力就会改变，而透过阻力改变的程度，来决定 1 或是 0 的逻辑运算。

而原先 IBM 其实有在发展一种叫做 MRAM 的内存，但在缩小晶体管以及数据写入方面遇到瓶颈，目前就没有继续的打算；而 IBM-TDK 发展的 STT -RAM，预计将在 4 年内推出 65nm 制程的原型产品。同时，硅谷也有一家叫做 Grandis 的厂商，也在发展 STT-RAM，他们则是预计在明年底就能够有产品问世。

同时，IBM 也不忘踢 PRAM 一脚，他们表示，SST-RAM 的优势是在运算较快，而 PRAM 则可以较密集的写入，不过 SST-RAM 应该还是会长命一点。（为啥？）这点，就得等未来印证了！

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[翻译：Casper Kao]

文章分类: 外围设备, 桌面产品

Tags: IBM, STT-RAM, TDK